آی بی ام و سامسونگ حافظه فوق العاده سریع ایجاد کرده اند

آی بی ام و سامسونگ با استفاده از فناوری جدید، یک رم پرسرعت را توسعه داده اند. این رم نه تنها سریع بلکه طول عمر بالایی دارد.قابلیت اتصال به گوشی های همراه و گجت های خانه های هوشمند را نیز دارد.
برای ساخت این حافظه فوق العاده سریع توسعه دهندگان از تکنولوژی حافظه مغناطیسی استفاده کرده اند.این رم مغناطیسی جدید MRAM نامیده شده است.  این تکنولوژی اجازه می دهد تا صد هزار برابر سریع تر از مدل های امروزی اطلاعات ذخیره سازی شود.
MRAM بسیار کم مصرف است و می توان در دستگاه های خانه های هوشمند نظیر لامپ، دوربین های مدار بسته، سوئیچ ها، پریز برق استفاده شود.

دریچه ای به تکنولوژی جدید

به گفته یکی از بنیانگذاران این تکنولوژی دانیل اورلاندز(آی بی ام)، MRAM به راحتی می تواند جایگزین حافظه فلش شود. این رم به صورت قابل توجهی سریع تر، با دوام تر و جهت استفاده آسان تر است.