سیلیکانها بنمایهی ساخت پردازندهها و تراشهها میباشند، اما به سرعت به محدودیت فیزیکی خود میرسند: امکان ندارد ساخت تراشهی کوچکتر از ۵ نانومتری به مشکل برنخورد.
اما قانون مور در مورد پیچیدگی و توان تراشهها چگونه میخواهد همچنان به اعتبار خود ادامه دهد؟ محققین دانشگاه استنفورد در این میان به راهکاری دست یافتهاند. راهکار آنان شامل افزودن موادی به سیلیکان است که آن را مستحکمتر میکند.
آنان در این روند دو نیمههادی را با هم به کار بردهاند، هافنیوم و زیرکونیوم. استفاده از این دو نیمههادی امکان ساخت تراشهای فوق باریک، درحالی که اجزای آن به میزان بهتری از سیلیکان از هم جدا شدهاند را ارائه میدهد. با استفاده از این راهکار امکان ساخت ترانزیستورهایی ۱۰ برابر کوچکتر نسبت به سیلیکان به دست میآید. ساخت تراشهی ۵ نانومتری با استفاده از این راهکار به مراتب کار راحتتر و بدون مشکلی است.
همانند هر راهکار دیگری، بزرگترین چالش استفاده از آن در صنعت و بهکارگیری آن میباشد. امری که برای آن دانشگاه استنفورد نیازمند اثبات قابلیتها و کارایی این شیوه میباشد.
اما قانون مور در مورد پیچیدگی و توان تراشهها چگونه میخواهد همچنان به اعتبار خود ادامه دهد؟ محققین دانشگاه استنفورد در این میان به راهکاری دست یافتهاند. راهکار آنان شامل افزودن موادی به سیلیکان است که آن را مستحکمتر میکند.
آنان در این روند دو نیمههادی را با هم به کار بردهاند، هافنیوم و زیرکونیوم. استفاده از این دو نیمههادی امکان ساخت تراشهای فوق باریک، درحالی که اجزای آن به میزان بهتری از سیلیکان از هم جدا شدهاند را ارائه میدهد. با استفاده از این راهکار امکان ساخت ترانزیستورهایی ۱۰ برابر کوچکتر نسبت به سیلیکان به دست میآید. ساخت تراشهی ۵ نانومتری با استفاده از این راهکار به مراتب کار راحتتر و بدون مشکلی است.
همانند هر راهکار دیگری، بزرگترین چالش استفاده از آن در صنعت و بهکارگیری آن میباشد. امری که برای آن دانشگاه استنفورد نیازمند اثبات قابلیتها و کارایی این شیوه میباشد.