محبوب ترین ها
1
سخت‌افزار
اندیشه سبز خزر۱۳:۰ - ۱۳۹۵ دوشنبه ۶ دي

شرکت SK Hynix قصد دارد مبلغ ۱.۸ میلیارد دلار را برای ایجاد کارخانه‌ی جدیدی برای تولید حافظه‌های فلش NAND در کره‌جنوبی صرف کند. دومین تولیدکننده‌ی چیپ‌های حافظه‌ی جهان همچنین قصد دارد سرمایه‌ی دیگری بر روی شرکت Wuxi، همکار خود در چین به منظور پاسخ‌گویی هرچه بیشتر به حافظه‌های مورد نیاز DRAM، سرمایه‌گذاری کند.

ادامه مطلب
تکنولوژی
رضا رزمی۶:۳۰ - ۱۳۹۴ پنج شنبه ۱۲ شهريور

شرکت سامسونگ الکترونیکاعلام کرد که تولید انبوه نوع جدیدی از سلول‌های سه گانه را (TLC) شروع خواهد کرد که برای اولین‌بار در جهان در ساخت تراشه‌های سه بعدی حافظه فلش "NAND" با ظرفیت 256GB به کار خواهد رفت. فلش مموری‌های جدید همچنین به بهبود تولید حافظه‌های الکترونیکی 3D V-NAND کمک می‌کند که دیگر تولیدات سامسونگ از قبیل دیسک‌های حالت جامد و سایر دستگاه‌های مبتنی بر فلش مقرون به صرفه باشند که همین امر نقش موثری در افزایش سهم این شرکت در بازارخواهد داشت.

در تراشه‌های ۲۵۶ گیگابایتی جدید "NAND" از همان سیستم شارژ (CTF) سه بعدی استفاده شده است. معماری این تراشه‌ها طوری است که در آن آرایه‌های سلولی به صورت عمودی روی هم چیده شده‌اند و نهایتا به صورت یک توده ۴۸ لایه‌ای درآمده‌اند که توسط ۱.۸ میلیارد حفره ارتباطی با یکدیگر در ارتباط هستند و در نهایت ۸۵۳۰۰۰۰۰۰۰۰ سلول وظیفه ذخیره‌سازی ۲۵۶ میلیارد بیت اطلاعات را بر عهده دارند. به بیان دیگر ۲۵۶ گیگابیت داده بر روی تراشه‌ای به اندازه سر انگشت ذخیره می‌شوند. در مجموع، هر سلول این تراشه ۸.۵ بیلیونی می‌تواند ۳۲ گیگابایت اطلاعات را ذخیره کند. به گفته این شرکت ۴۸ لایه ای جدید نسبت به مدل‌های پیشین ۳۰ درصد مصرف انرژی کمتری دارد.

ادامه مطلب
تکنولوژی
مصطفی طبری۱۵:۲۲ - ۱۳۹۴ يکشنبه ۲۵ مرداد

سامسونگ هارد دیسک جدیدی با نام عجیب PM1633a را تولید کرد. این هارد 2.5 اینچی ظرفیت بسیار زیاد 16 ترابایتی(بطور دقیق 15.36) را ارائه می کند و بهترین بخش ماجرا این است که این هارد در واقع یک SSD می باشد که از حافظه های NAND با ظرفیت 256 گیگابایت برخوردار است. به گفته Ars Technica این حافظه های فلش جدید به لطف فناوری پشته سازی عمودی ترانزیستورها، امکان ارائه چنین حجم ذخیره سازی را ارائه داده اند.

ادامه مطلب
تکنولوژی
دنیا شکوهی۶:۰ - ۱۳۹۴ پنج شنبه ۱۴ خرداد

یکی از عیب جویی ها علیه فلش Nand (حافظه غیر فرار) مورد استفاده در SSD (دستگاه ذخیره اطلاعات) پایداری آن است. اینگونه از حافظه در نهایت از کار میافتد و غیر قابل استفاده میشود. ظاهرا این مشکل NRAM (رم های غیر فرار ) نیست. تکنولوژی ای که کمپانی Nantero در 14 سال گذشته در حال توسعه آن بوده است.
NRAM نوعی از ذخیره غیر فرار است که با استفاده از نانو لوله های کربنی ساخته شده است. رییس کمپانی، گرگ اشمرگل توضیح داد که این محصول کمپانی با خواباندن نانو لوله های کربنی بر روی ویفرهای سیلیکونی ساخته شده است. سپس لایه با چاپ سنگی الگو گذاری شده و با هر سلول NRAM بر روی هر 2×نانومتر گره شامل صدها لوله نانو قلم زده شده است.

ادامه مطلب
1