ترجمه شده توسط نویسنده
آهن ربایی به اندازه یک اتم، که ذخیره سازی اطلاعات را به اندازه یک بیت فراهم می کند. طراحی و ساخت این دستگاه که توسط دانشمندان دانشگاه پلی تکنیک فدرال لوزان (سوئیس) انجام و به عنوان انقلابی در تکنولوژی در مجله Science نام برده شده است.
آنان غیرممکن را ممکن ساخته اند.
تکنولوژی ساخت این دستگاه به گونه ای است که بیشترین حجم اطلاعات را در قطعه ای مینیاتوری پردازش می کند. در نتیجه دانشمندان و مهندسان سعی کرده اند که ماژول های حافظه تا حد ممکن فشرده باشند.

حافظه ی بیشتر= قدرت بیشتر
بیشتری مک هایی که در چند سال اخیر رسیدند در مقایسه با مکی که 10 سال پیش رسید ، حافظه ی قابل توجهی دارند . OS X حافظه ی بسیار تاثیر گذاری است ، و امکانات بسیاری برای حداکثر استفاده از هر ذره ی رم موجود را فراهم میکند . حتی با وجود این تاثیر گذاری؛ شما بازهم میتوانید عملکرد مکتان را با اضافه کردن رم بیشتر ارتقا دهید . در این مقاله ما به شما نشان خواهیم داد که کدام رم کدام مک ها میتواند ارتقا داده شود ، و همچنین به شما چند نکته خواهیم گقت تا رم های بیشتری روی مکتان نصب کنید .
کدام یک از مک های موجود را میتوانم ارتقا دهم؟
در طول چند سال اخیر، اپل در حال خارج کردن مموری های قابل ارتقا دادن توسط کاربر ، در همه ی خطوط نوت بوک ها و همچنین مک مینی ها بود . این کار به چند دلیل انجام شد ، مثل کوچک نگه داشتن قطعات محصول با حذف کردن اجزای اضافی تا رم را قبول کرده و برای ساختن اجزای کوچک جا باشد . به همین دلیل هیچ کدام از مک بوک های کنونی ، به شما امکان ارتقا رم را نمیدهند . رمی که شما در طی پروسه ی وارسی خریدید همان میزان حافظه ای است که مکتان همیشه خواهد داشت . به همین دلیل است که ما به پیشنهاد میکنیم که مک شخصی سفارش دهید و حافظه ی بالایی انتخاب کنید . بیشتر از آنچه استفاده میکنید . چون هیچ وقت رم کافی نخواهد بود.

شرکت سامسونگ الکترونیکاعلام کرد که تولید انبوه نوع جدیدی از سلول‌های سه گانه را (TLC) شروع خواهد کرد که برای اولین‌بار در جهان در ساخت تراشه‌های سه بعدی حافظه فلش "NAND" با ظرفیت 256GB به کار خواهد رفت. فلش مموری‌های جدید همچنین به بهبود تولید حافظه‌های الکترونیکی 3D V-NAND کمک می‌کند که دیگر تولیدات سامسونگ از قبیل دیسک‌های حالت جامد و سایر دستگاه‌های مبتنی بر فلش مقرون به صرفه باشند که همین امر نقش موثری در افزایش سهم این شرکت در بازارخواهد داشت.

در تراشه‌های ۲۵۶ گیگابایتی جدید "NAND" از همان سیستم شارژ (CTF) سه بعدی استفاده شده است. معماری این تراشه‌ها طوری است که در آن آرایه‌های سلولی به صورت عمودی روی هم چیده شده‌اند و نهایتا به صورت یک توده ۴۸ لایه‌ای درآمده‌اند که توسط ۱.۸ میلیارد حفره ارتباطی با یکدیگر در ارتباط هستند و در نهایت ۸۵۳۰۰۰۰۰۰۰۰ سلول وظیفه ذخیره‌سازی ۲۵۶ میلیارد بیت اطلاعات را بر عهده دارند. به بیان دیگر ۲۵۶ گیگابیت داده بر روی تراشه‌ای به اندازه سر انگشت ذخیره می‌شوند. در مجموع، هر سلول این تراشه ۸.۵ بیلیونی می‌تواند ۳۲ گیگابایت اطلاعات را ذخیره کند. به گفته این شرکت ۴۸ لایه ای جدید نسبت به مدل‌های پیشین ۳۰ درصد مصرف انرژی کمتری دارد.