سامسونگ تولید حافظه فلش ۴۸ لایه‌ای V-NAND را آغاز کرد

شرکت سامسونگ الکترونیکاعلام کرد که تولید انبوه نوع جدیدی از سلول‌های سه گانه را (TLC) شروع خواهد کرد که برای اولین‌بار در جهان در ساخت تراشه‌های سه بعدی حافظه فلش "NAND" با ظرفیت 256GB به کار خواهد رفت. فلش مموری‌های جدید همچنین به بهبود تولید حافظه‌های الکترونیکی 3D V-NAND کمک می‌کند که دیگر تولیدات سامسونگ از قبیل دیسک‌های حالت جامد و سایر دستگاه‌های مبتنی بر فلش مقرون به صرفه باشند که همین امر نقش موثری در افزایش سهم این شرکت در بازارخواهد داشت.

در تراشه‌های ۲۵۶ گیگابایتی جدید "NAND" از همان سیستم شارژ (CTF) سه بعدی استفاده شده است. معماری این تراشه‌ها طوری است که در آن آرایه‌های سلولی به صورت عمودی روی هم چیده شده‌اند و نهایتا به صورت یک توده ۴۸ لایه‌ای درآمده‌اند که توسط ۱.۸ میلیارد حفره ارتباطی با یکدیگر در ارتباط هستند و در نهایت ۸۵۳۰۰۰۰۰۰۰۰ سلول وظیفه ذخیره‌سازی ۲۵۶ میلیارد بیت اطلاعات را بر عهده دارند. به بیان دیگر ۲۵۶ گیگابیت داده بر روی تراشه‌ای به اندازه سر انگشت ذخیره می‌شوند. در مجموع، هر سلول این تراشه ۸.۵ بیلیونی می‌تواند ۳۲ گیگابایت اطلاعات را ذخیره کند. به گفته این شرکت ۴۸ لایه ای جدید نسبت به مدل‌های پیشین ۳۰ درصد مصرف انرژی کمتری دارد.